(资料图片)
点击蓝字
关注我们
在现代光电子学和电子学中，III族氮化物宽禁带半导体III-nitride wide bandgap semiconductors是很有前景的新材料。鉴于在大晶格失配的异质衬底上，生长异质外延薄膜的质量不断提高，这种半导体材料的应用，有望取得了更大进展。但与块体单晶相比，材料质量仍有很大的提升空间。
近日，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、宽禁带半导体研究中心Jiaming Wang, Nan Xie, 许福军Fujun Xu，沈波Bo Shen等，在Nature Materials上发文，通过可控离散化和微柱凝聚coalescence of columns，实现了高质量的III族氮化物异质外延膜。 基于具有规则六边形孔的纳米图案化氮化铝AlN/蓝宝石模板，蓝宝石氮化预处理和解理面的有序横向生长，保证了离散的氮化铝AlN柱，以均匀的面外和面内取向结合，有效地抑制了凝聚过程中穿透位错threading dislocations的再生。氮化铝AlN异质外延膜中，位错蚀坑密度达到3.3×10E4cm-2，接近目前已有的氮化铝AlN体单晶。该项研究，促进了具有低成本和可扩展性的体块级质量III族氮化物薄膜生长。 Group-III nitride heteroepitaxial films approaching bulk-class quality. III族氮化物异质外延膜，接近块体级质量图1:在纳米图案化氮化铝蓝宝石模板nano-patterned AlN/sapphire templates，NPATs上生长氮化铝AlN的示意图。
图2:在纳米图案化氮化铝蓝宝石模板NPATs和纳米图案化蓝宝石模板nano-patterned sapphire substrates，NPSSs上，氮化铝AlN聚结期间的取向控制。
图3:在纳米图案化氮化铝蓝宝石模板NPATs上，氮化铝AlN的结晶质量。
图4:在纳米图案化氮化铝蓝宝石模板NPATs上，制造深紫外光电二级管deep-ultraviolet light-emitting diodes，DUV-LED的性能。
关键词：
新闻发布平台 |科极网 |环球周刊网 |中国创投网 |教体产业网 |中国商界网 |万能百科 |薄荷网 |资讯_时尚网 |连州财经网 |剧情啦 |5元服装包邮 |中华网河南 |网购省钱平台 |海淘返利 |太平洋装修网 |励普网校 |九十三度白茶网 |商标注册 |专利申请 |启哈号 |速挖投诉平台 |深度财经网 |深圳热线 |财报网 |财报网 |财报网 |咕噜财经 |太原热线 |电路维修 |防水补漏 |水管维修 |墙面翻修 |旧房维修 |参考经济网 |中原网视台 |财经产业网 |全球经济网 |消费导报网 |外贸网 |重播网 |国际财经网 |星岛中文网 |手机测评 |品牌推广 |名律网 |项目大全 |整形资讯 |整形新闻 |美丽网 |佳人网 |税法网 |法务网 |法律服务 |法律咨询 |成报网 |媒体采购网 |聚焦网 |参考网 |热点网
亚洲资本网 版权所有
Copyright © 2011-2020 亚洲资本网 All Rights Reserved. 联系网站：55 16 53 8 @qq.com
